Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Oleksenko P$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 22 Представлено документи з 1 до 20 |
|||||
| |||||
| 1. | Oleksenko P. Ph. Electrophysical characteristics of LEDs based on GaN epitaxial films = Дослідження електрофізичних характеристик СВД на основі GaN епітаксійних плівок / P. Ph. Oleksenko, G. A. Sukach, P. S. Smertenko, S. I. Vlaskina, A. B. Bogoslovskaya, I. O. Spichak, D. H. Shin // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 112-115. - Библиогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Stronski A. V. Optical elements for IR spectral region on the base of СhVS layers = Оптичні елементи для ІЧ-області спектра на основі шарів халькогенідних склоподібних напівпровідників / A. V. Stronski, M. Vlcek, P. F. Oleksenko // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 9. - С. 995-998. - Библиогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Sukach G. A. Charge injection into porous silicon in the temperature range from 77 K to 400 K = Інжекція заряду в пористому кремнії в діапазоні температур від 77 K дo 400 K / G. A. Sukach, P. F. Oleksenko, P. S. Smertenko, A. M. Evstigneev, A. B. Bogoslovskaya, V. Yu. Goroneskul // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 2. - С. 207-211. - Библиогр.: 25 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Stronski A. V. Fourier Raman spectroscopy studies of the Assub40/subSsub60 - X/subSesubX/sub glasses / A. V. Stronski, M. Vl(ek, P. F. Oleksenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 210-213. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Kamuz A. M. Method of low-temperature rise of laser diode quality / A. M. Kamuz, P. Ph. Oleksenko, O. A. Kamuz, V. G. Kamuz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 406-411. - Бібліогр.: 4 назв. - англ. Показано, що під впливом незворотної гігантської модифікації монокристалічних напівпровідників A3B5 та A2B6 створено локальні області з дуже зміненими показниками заломлення. Показано, що комплексні показники заломлення напівпровідникових зразків CdS, CdTe та GaAs після модифікації були дуже змінені. Наприклад, комплексний показник заломлення зразків CdS змінився від величини N = 2,75 +i2,8113 до величини N1 = 1,9 +i0,035. В цьому разі дійсна й уявна частини показника заломлення CdS знизились на 0,85 та 2,7763 відповідно. А його коефіцієнт поглинання зменшився в 80 разів. Теоретичний аналіз експериментальних результатів показав, що відповідальними за такі гігантські зміни показника заломлення є квантові точки та квантові дротики, які виникають в модифікованих областях зразка. Показано, що під час модифікації межа поділу середовищ (між модифікованими та немодифікованими областями зразка) занурюється на глибину не менше ніж 11 мікрон. Показано, що одно- та двовимірні фотонні кристали можна ефективно формувати для видимої та ультрафіолетової областей без використання складної технології літографії. Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531.8 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Kamuz A. M. The way of photonic crystal formation in $E bold {roman {A sup 3 B} sup 5} and $E bold {roman {A sup 2 B} sup 6} semiconductors / A. M. Kamuz, P. Ph. Oleksenko, O. A. Kamuz, V. G. Kamuz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 86-90. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Kolomzarov Yu. Vacuum method for creation of liquid crystal orienting microrelief / Yu. Kolomzarov, P. Oleksenko, V. Sorokin, P. Tytarenko, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 528-532. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Описано механізм створення анізотропії мікрорельєфу поверхні аморфних плівок оксидів, одержаних скісним реактивним катодним розпиленням. Досліджено вплив технологічних параметрів розпилення на орієнтаційні параметри рідких кристалів. Показано залежності параметрів орієнтації від матеріалу мішені, кута конденсації речовини на підкладку, процесів ремісії внаслідок бомбардування підкладки негативними іонами. Продемонстровано застосування методу скісного реактивного розпилення для створення рідкокристалічних дисплеїв різних розмірів. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + Ж619 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Oleksenko P. Liquid crystal modulator in the channel of a laser projection microscope / P. Oleksenko, V. Sorokin, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 3. - С. 309-312. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Розглянуто питання використання модуляторів оптичного випромінювання на основі електровідбивання від межі поділу ізотропний діелектрик - нематичний рідкий кристал. Запропоновано, реалізовано та досліджено оптичну схему лазерного проекційного мікроскопа (ЛПМ) с РК-модулятором у каналі обробки, спостереження та реєстрації, який може одночасно виконувати функції світлоподільного елемента, аттенюатора та модулятора. Показано можливість проведення обробки ряду тонкоплівкових матеріалів за допомогою ЛПМ з РК-модулятором у каналі обробки, спостереження та реєстрації. Індекс рубрикатора НБУВ: В342.8 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Kolomzarov Yu. Development and investigation of LC light shutters for automatic welding mask / Yu. Kolomzarov, P. Oleksenko, V. Sorokin, P. Tytarenko, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 384-388. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
| ||||
| 10. | Kolomzarov Yu. Disappearance of aligning properties of deposited SiOVIBxD films as caused by external factors / Yu. Kolomzarov, P. Oleksenko, V. Sorokin, P. Tytarenko, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 3. - С. 60-65. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Oleksenko P. Liquid crystal acousto-optical transducer for nondestructive holographic control systems / P. Oleksenko, V. Sorokin, P. Tytarenko, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 74-79. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Kolomzarov Yu. Surface microrelief obtained by composed target deposition for LC molecules alignment / Yu. Kolomzarov, P. Oleksenko, V. Sorokin, P. Tytarenko, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 4. - С. 58-62. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Vlasenko A. I. Fluctuations of current, electroluminescence, and acoustic emission in light-emitting $E bold roman {A sup 3 B sup 5} heterostructures / A. I. Vlasenko, O. V. Lyashenko, P. F. Oleksenko, V. P. Veleschuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 3. - С. 230-235. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Vlasenko N. A. Thermofield $E bold roman {Cr sup +~symbol О~Cr sup 2+} recharging resulting in anomalous intensification of $E bold roman Cr sup 2+ emission in ZnS:Cr thin-film electroluminescent structures / N. A. Vlasenko, P. F. Oleksenko, Z. L. Denisova, M. A. Mukhlyo, L. I. Veligura // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 3. - С. 87-90. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Kolomzarov Yu. ITO layers modified in glow discharge plasma for Nematic Liquid Crystal alignment / Yu. Kolomzarov, P. Oleksenko, A. Rybalochka, V. Sorokin, P. Tytarenko, R. Zelinskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 19-23. - Бібліогр.: 14 назв. - англ. Influence of ionic and plasma treatment on orienting properties of indium-tin-oxide (ITO) films was investigated. The stable tilt angle generation of nematic liquid crystal (NLC) molecules was attended. Dependences of NLC molecules tilt angles on various technological parameters and regimes of ITO film deposition have been shown. Results for oriented film surfaces investigated by atomic-force microscopy showed the viscous-elastic mechanism of NLC molecules alignment by the modified ITO films. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В333.2 + В333.79 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 16. | Vlasenko N. A. Laser oscillation in Cr2+:ZnS waveguide thin-film structures under electrical pumping with impact excitation mechanism / N. A. Vlasenko, P. F. Oleksenko, M. O. Mukhlyo, P. M. Lytvyn, L. I. Veligura, Z. L. Denisova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3. - С. 339-343. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 17. | Vlasenko N. A. Stimulated emission of $E bold roman Cr sup 2+ ions in ZnS:Cr thin-film electroluminescent structures / N. A. Vlasenko, P. F. Oleksenko, M. A. Mukhlyo, L. I. Veligura, Z. L. Denisova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 4. - С. 362-365. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 18. | Paiuk A. P. Mid-IR impurity absorption in AsVB2DSVB3D chalcogenide glasses doped with transition metals / A. P. Paiuk, A. V. Stronski, N. V. Vuichyk, A. A. Gubanova, Ts. A. Krys'kov, P. F. Oleksenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 2. - С. 152-155. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 19. | Kamuz A. M. Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification / A. M. Kamuz, P. F. Oleksenko, O. A. Kamuz, O. A. Ilin, A. V. Stronski // Functional Materials. - 2008. - 15, № 4. - С. 608-612. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 20. | Khmil' D. N. Determination of the spectral dependence for the absorption coefficient of phosphor inorganic microparticles / D. N. Khmil', A. M. Kamuz, P. F. Oleksenko, V. G. Kamuz, N. G. Aleksenko, O. A. Kamuz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 3. - С. 334-340. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| |||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського